Pii ex GaN epitaxy

Brevis descriptio:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. est primarium supplementum ceramicorum semiconductoris provectorum et sola fabrica in Sinis quae simul summus puritatem carbidam ceramicam pii praebere potest (praesertim cumRecrystallized SiC) ET CVD SiC niunt. Insuper etiam in campis ceramicis, ut alumina, aluminium nitride, zirconia, et nitride pii, etc.

 

Product Detail

Product Tags

Product Description

Nostra societas praebetSic coatingofficia processus processus per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum, ita ut gasi speciales continentes carbonis et siliconis in caliditate caliditatis obtineant altam puritatem SiC moleculae, moleculae in superficie materiae iactatae positae, formantes.SIC tegumentum.

Praecipua lineamenta:

1. caliditas oxidationis resistentia;

oxidatio resistentia adhuc optima est, cum siccus tam altus est quam 1600 C.

2. Puritas alta : factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.

3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.

4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.

 

Specificationes principales de CVD-SIC Coating

Sic-CVD Properties

Crystal Structure

FCC β phase

Density

g/cm

3.21

duritia

Vickers duritia

2500

Frumenti Size

μm

2~10

Puritas chemica

%

99.99995

Calor Capacitas

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimatio Temperature

2700

Fortitudo Felix

MPa (RT 4-punctum)

415

Modulus

Gpa (4pt bend, 1300℃)

430

Scelerisque Expansion (CTE)

10-6K-1

4.5

Scelerisque conductivity

(W/mK)

300

-1
17
211
Locus Semicera Opus
Locus operis semicera 2
Apparatus armorum
Rhoncus processus, purgatio chemica, CVD coating
Nostra religio

  • Priora:
  • Next: