Semicera'sPii Carbide Epitaxymachinatum est ut in applicationibus semiconductoris hodierni exigentiis rigidis occurrat. Utendo technicis incrementis epitaxialis provectae, operam dabimus ut singulae tabulae carbidi pii cristallinae qualitatem eximiam ostendant, uniformitatem, ac minimum defectum densitatis. Hae notae praecipuae sunt ad potentiam electronicorum explicandam summus perficientur, ubi efficientia et administratio scelerisque praecipua sunt.
ThePii Carbide Epitaxyprocessus in Semicera optimized est ad epitaxiales stratos producendos cum accurata crassitudine et moderatione doping, ut congruenter perficiatur per varias machinas. Hic gradus praecisiones necessaria est ad applicationes in vehiculis electricis, systemata energiae renovabilis et communicationis frequentiae summus, ubi fides et efficacia critica sunt.
Porro Semicera'sPii Carbide Epitaxyscelerisque conductivity auctam praebet et intentione naufragii altioris, eam faciens potiorem electionem machinarum quae sub extrema condicione operantur. Hae proprietates ad longiores vitas cogitationes conferunt et altiore systematis efficientia meliorantur, praesertim in summus potentiae et summus temperatus ambitus.
Semicera etiam praebet optiones customization proPii Carbide Epitaxypermittens pro formandis solutionibus quae certae notae requisita occurrunt. Sive ad investigationes sive ad productionem magnarum magnarum, epitaxiales nostri strati ordinantur ad innovationes semiconductoris posteros sustinendas, ut evolutionem potentiorum, efficientium, et certarum electronicarum machinarum efficiat.
Per technologiam technologiam et restrictionem qualitatis control processus integrando, Semicera efficit ut nostraPii Carbide Epitaxyproducts non solum conveniant sed excedunt industriam signa. Hoc officium ad excellentiam facit nostrum epitaxial stratis specimen fundamentum ad applicationes semiconductores provectas, viamque patefaciendi ad breakthroughs in potentia electronicorum et optoelectronicorum.
| Items | Productio | Inquisitionis | phantasma |
| Crystal Parameters | |||
| Polytypus | 4H | ||
| Superficiem sexualis errore | <11-20 >4±0.15° | ||
| Electrical Parameters | |||
| Dopant | n-genus Nitrogenium | ||
| Resistentia | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanica Parametri | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Crassitudo | 350±25 μm | ||
| Prima plana propensionis | [1-100]±5° | ||
| Prima plana longitudo | 47.5±1.5mm | ||
| Secundarium plana | Nullus | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arcum | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Frons (Si-face) asperitas (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structure | |||
| Micropipe density | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallum immunditiae | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ante Quality | |||
| Front | Si | ||
| Superficiem metam | Si-face CMP | ||
| Particulas | ≤60ea/laganum (size≥0.3μm) | NA | |
| Exasperat | ≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diameter | NA |
| Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione | Nullus | NA | |
| Ora eu / indents / fractura / hex p | Nullus | ||
| Polytypus areis | Nullus | Cumulativo area≤20% | Cumulativo area≤30% |
| Ante laser vestigium | Nullus | ||
| Back Quality | |||
| Retro metam | C-faciem CMP | ||
| Exasperat | ≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
| Retro defectus (ore eu / indents) | Nullus | ||
| Retro asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Back laser notati | I mm (a summo ore) | ||
| Ore | |||
| Ore | Chamfer | ||
| Packaging | |||
| Packaging | Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging | ||
| *Nota "NA" significat petitionem nullam Items not mentioned may refer to SEMI-STD. | |||
