TaC iactaret epitaxial laganum carriersin praeparatione summi laboris optoelectronic machinae, potentiae machinis, sensoriis et aliis campis adhibentur. Hocepitaxial laganum carrierrefers to depositioTactenues pelliculae substratae durante processu cristalli incrementi, ut laganum cum certae structurae et observantia ad praeparationem machinae subsequentis formandam.
Depositio chemicus vapor (CVD) technologia parare soletTaC iactaret epitaxial laganum carriers. Per praecursores metalli organici et fontem carbonis vapores in caliditate gravissimo regente, pellicula TaC in superficie cristalli subiecti deponi potest. Haec pellicula egregias proprietates electricas, opticas et mechanicas habere potest et ad varias summus technas parandas apta est.
Semicera tantalum carbidi speciali (TaC) coatings variis componentibus et vectoribus praebet.Semicera ducens processum efficiens efficit tantalum carbidam (TaC) coatings ut altam puritatem, caliditatem stabilitatem et altam tolerantiam chemicae efficiat, productum meliorando qualitatem SIC/GAN crystallorum et epi stratorum (Graphite obductis susceptor TaC) et vitam clavium reac- tium extendere. Usus Tantali carbidis TaC coating est problema extremam solvendi et qualitatem cristalli incrementi solvendi, et Semicera eruptionem solvit technologiam tantalum carbidam efficiens (CVD), ad gradum internationalem provectum attingens.
apud et sine tac
Post usura TAC (ius)
Porro Semicera'sTaC-coated productsampliorem vitam exhibeant servitii et majori resistentia summus temperatus comparatusSic coatings.Mensuras officinarum demonstravimus nostraTaC coatingsCelsius temperaturis usque ad 2300 gradus per tempora protracta constanter praestare possunt. Subter exempla quaedam exempla nostra sunt;
