Semicera tantalum carbidi speciali (TaC) coatings variis componentibus et vectoribus praebet.Semicera ducens processum efficiens efficit tantalum carbidam (TaC) coatings ut altam puritatem, caliditatem stabilitatem et altam tolerantiam chemicae efficiat, productum meliorando qualitatem SIC/GAN crystallorum et epi stratorum (Graphite obductis susceptor TaC) et vitam clavium reac- tium extendere.Usus Tantali carbidis TaC coating est problema extremam solvendi et qualitatem cristalli incrementi solvendi, et Semicera eruptionem solvit technologiam tantalum carbidam efficiens (CVD), ad gradum internationalem provectum attingens.
Carbide Silicon (SiC) materia praecipua est in tertia generatione semiconductorum, sed rate cede eius factor industriae incrementum limitans fuit.Post amplam probationem in laboratorio semicerae, compertum est TaC aspersum et sinteratum necessariam puritatem et uniformitatem carere.E contra, processus CVD efficit puritatem graduum 5 PPM et praestantem uniformitatem.Usus CVD TaC insigniter melioris rate of lagana carbide siliconis ampliat.Disceptationes suscipimusTaC Coated Graphite Tres Segmentum Annuli ad ulteriora reducere impensas SiC laganas.
apud et sine tac
Post usura TAC (ius)
Porro Semicera'sTaC-coated productslongiorem vitam exhibeant servitii et majori resistentia summus temperatus comparatusSic coatings.Mensuras officinarum demonstravimus nostraTaC coatingsCelsius temperaturis usque ad 2300 gradus per tempora protracta constanter praestare possunt.Subter exempla quaedam exempla nostra sunt;
