SiC coating carriers for semiconductor etching

Brevis descriptio:

Semicera semiconductor technica Co., Ltd. est primarius supplementum ceramicorum semiconductorium provectorum. Nostri principales fructus includunt: Discus carbidi siliconis signati, carbidi pii umbilici, carbidi lagani pii naves (PV & semiconductor), fistulae carbidi pii fornacis, paxulae siliconis carbidae cantilever, carbide silicones chuck pii, carbide silicon radiis CVD SiC tunicas et TaC coatingit.

Producta maxime adhibentur in industrias semiconductoris et photovoltaicae, ut cristallum incrementum, epitaxy, engraving, packaging, efficiens et diffusio fornacis instrumenti.

 

 


Product Detail

Product Tags

Descriptio

Societas nostra SiC efficiens operas processus per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ut gasi speciales in caliditate carbonis et siliconis reant, ad altam puritatem SiC molecularum, molecularum in superficie materiarum iactatarum depositarum; formatam SIC tutela iacuit.

Principalis Features

1. caliditas oxidationis resistentia;
oxidatio resistentia adhuc optima est, cum siccus tam altus est quam 1600 C.
2. Puritas alta : factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.
3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.
4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.

Specificationes principales de CVD-SIC Coating

Sic-CVD Properties

Crystal Structure FCC β phase
Density g/cm 3.21
duritia Vickers duritia 2500
Frumenti Size μm 2~10
Puritas chemica % 99.99995
Calor Capacitas J·kg-1 ·K-1 640
Sublimatio Temperature 2700
Fortitudo Felix MPa (RT 4-punctum) 415
Modulus Gpa (4pt bend, 1300℃) 430
Scelerisque Expansion (CTE) 10-6K-1 4.5
Scelerisque conductivity (W/mK) 300
Locus Semicera Opus
Locus operis semicera 2
Apparatus armorum
Rhoncus processus, purgatio chemica, CVD coating
Nostra religio

  • Priora:
  • Next: