Sic tabellarius pro RTP/RTA celeri calefactio caloris curatio

Description:

Silius carbide novum genus ceramicorum est magno sumptu effectus et praestantia materiarum proprietatum.Ob features sicut altae roboris et duritiae, caliditas resistentiae, magna conductivity et chemica corrosio scelerisque resistentia, Silicon Carbide omnia media chemica fere sustinere potest.Propterea, SIC late utuntur in fodienda olei, chemica, machinatione et airspace, etiam energia nucleari et militari, peculiares suas postulationes in SIC habent.Aliquid normali applicatione offerre possumus annulos obsignantes ad sentinam, valvam et armaturam tutelarem etc.

Possumus designare et fabricare secundum dimensiones specificas cum bona qualitate et rationabili tempore libera.


Product Detail

Product Tags

Descriptio

Societas nostra processus SiC efficiens officia per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ita ut gasi speciales carbo et silicon in caliditate continentes agunt ad altam puritatem SiC moleculae, moleculae in superficie materiae iactatae depositae; formatam SIC tutela iacuit.

Marisque

1. caliditas oxidationis resistentia;
oxidatio resistentia adhuc valde bona est cum siccus quantus est 1600 C.
2. Puritas alta : factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.
3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.
4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.

Specificationes principales de CVD-SIC Coating

Sic-CVD Properties

Crystal Structure FCC β phase
Density g/cm 3.21
duritia Vickers duritia 2500
Frumenti Size μm 2~10
Puritas chemica % 99.99995
Calor Capacitas J·kg-1 ·K-1 640
Sublimatio Temperature 2700
Fortitudo Felix MPa (RT 4-punctum) 415
Modulus Gpa (4pt bend, 1300℃) 430
Scelerisque Expansion (CTE) 10-6K-1 4.5
Scelerisque conductivity (W/mK) 300
Locus Semicera Opus
Locus operis semicera 2
Apparatus armorum
Rhoncus processus, purgatio chemica, CVD coating
Nostra religio

  • Previous:
  • Deinde: