Descriptio
TheSilicon Carbide (SiC) Wafer Susceptoresnam MOCVD a semicera ad processuum epitaxialem provectae destinatur, superiori observantia pro utroque offerensSi EpitaxyetSiC Epitaxyutilibus. Aditus porttitor semiceras hos susceptores efficit ut firmiores efficiantque, stabilitatem et accurationem ad operationes criticas fabricandas praebentes.
Machinatum sustinere necessitates impeditasMOCVD Susceptorsystemata, haec producta versatiles sunt, cum ferentibus compatiuntur sicut PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, et RTP Carrier. Eorum flexibilitas eos aptas facit ad industrias summus technicas, in iis operantibusDUXERIT EpitaxialSusceptor et Monocrystallinus Pii.
Multiplici figurarum, incluso Barrel Susceptoris et Pancake Susceptoris, hae lagani susceptores etiam essentiales sunt in regione photovoltaica, adiuvantes Partes Photovoltaicae fabricando. Ad fabricatores semiconductores, facultas tractandi GaN in processibus Epitaxy SiC facit hos susceptores magni pretii ad praestandum summus qualitas output per amplis applicationibus.
Principalis Features
I .High puritas SiC graphite iactaret
2. Superior calor resistentia & scelerisque uniformitatem
3. FineSic crystallum iactaretad leni
4. High vetustatem in chemica purgatio
Specificationes principales de CVD-SIC Coatings:
| SiC-CVD | ||
| Density | (g/cc) | 3.21 |
| Flexurae vires | (Mpa) | 470 |
| Scelerisque expansion | (10-6/K) | 4 |
| Scelerisque conductivity | (W/mK) | 300 |
Stipare et Shipping
Facultates copia:
(X) Piece / Mass per mense
Packaging & Delivery:
Stipare: Standard & Strong Pack
Poly pera + Box + Carton + Pallet
Portus:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tempus ducere:
| Quantitas (Pieces) | 1-1000 | >1000 |
| Est. Tempus (dies) | 30 | Agenda |
