Descriptio
Azyma CarrierscumPii Carbide (SiC) Coatinge semicera perite destinata ad incrementum epitaxial summus perficiendi, proventuum optimorum procuransSi EpitaxyetSiC Epitaxyutilibus. Vectores semicerae praecisionis machinatorum aedificantur ad extremas condiciones sustinendas, easque praecipuas in MOCVD systemata Susceptoris efficiens industrias altam accurationem et vetustatem requirunt.
Hi laganum baiulum versatile sunt, processus criticos cum instrumento sustinentes sicutPSS Etching Portitorem, ICP Etching PortitoremetRTP Portitorem. Eorum robust Sic Coating auget effectus ad applicationes sicutDUXERIT EpitaxialSusceptor et Monocrystallinus Silicon effectus constantes manans etiam in ambitibus postulandis.
Praesto sunt in multis configurationibus, ut Barrel Susceptor et Pancake Susceptor, hi tabellarii munus vitale agunt in fabricando photovoltaico et semiconductore, sustinentes productionem partium photovoltaicarum et faciliorem GaN in processibus SiC Epitaxy. Cum superiore consilio, hi portatores magni ponderis sunt artifices ad productionem summi efficientiae tendentes.
Principalis Features
I .High puritas SiC graphite iactaret
2. Superior calor resistentia & scelerisque uniformitatem
3. FineSic crystallum iactaretad leni
4. High vetustatem in chemica purgatio
Specificationes principales de CVD-SIC Coatings:
| SiC-CVD | ||
| Density | (g/cc) | 3.21 |
| Flexurae vires | (Mpa) | 470 |
| Scelerisque expansion | (10-6/K) | 4 |
| Scelerisque conductivity | (W/mK) | 300 |
Stipare et Shipping
Facultates copia:
(X) Piece / Mass per mense
Packaging & Delivery:
Stipare: Standard & Strong Pack
Poly pera + Box + Carton + Pallet
Portus:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tempus ducere:
| Quantitas (Pieces) | 1-1000 | >1000 |
| Est. Tempus (dies) | 30 | Agenda |
